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PHI 硬X射線(xiàn)光電子能譜儀

  • 更新時(shí)間:  2024-06-05
  • 產(chǎn)品型號:  PHI Genesis 900
  • 簡(jiǎn)單描述
  • PHI 硬X射線(xiàn)光電子能譜儀,下一代透明發(fā)光材料使用直徑約為10nm~50nm 的納米量子點(diǎn)(QDs),結合使用 XPS(Al Ka X射線(xiàn))和 HAXPES(Cr Ka x射線(xiàn))對同一微觀(guān)特征區域進(jìn)行分析,可以對 QDs 進(jìn)行詳細的深度結構分析。
詳細介紹

PHIGENESIS Model 900 for HAXPES

無(wú)需濺射刻蝕的深度探索

下一代透明發(fā)光材料使用直徑約為10nm~50nm 的納米量子點(diǎn)(QDs),結合使用 XPS(Al Ka X射線(xiàn))和 HAXPES(Cr Ka x射線(xiàn))對同一微觀(guān)特征區域進(jìn)行分析,可以對 QDs 進(jìn)行詳細的深度結構分析。

XPS 和HAXPES 的結合使用,可以對納米顆粒進(jìn)行深度分辨、定量和化學(xué)態(tài)分析,從而避免離子束濺射引起的損傷。

?PHI 硬X射線(xiàn)光電子能譜儀

PHI 硬X射線(xiàn)光電子能譜儀深層界面的分析 

在兩種x射線(xiàn)源中,只有 Cr Ka XPs 能探測到 Y0,下方距離表面 14nm 處的 Cr層。擬合后的譜圖確定了 Cr 的化學(xué)態(tài)。另外,通過(guò)比較,光電子起飛角90°和30°的 Cr Ka 譜圖結果發(fā)現在較淺(表面靈敏度更高)的起飛角時(shí),氧化物的強度較高,表明 Cr 氧化物處于 Y,0,和 Cr 層之間的界面。?

PHI 硬X射線(xiàn)光電子能譜儀

PHI 硬X射線(xiàn)光電子能譜儀內核電子的探測

Cr Ka 提供了額外的 Al Ka 不能獲取的內核電子基于 Cr Ka 的高能光電子,通常有多個(gè)額外的躍遷可用于分析。

PHI 硬X射線(xiàn)光電子能譜儀

應用領(lǐng)域 

主要應用于電池、半導體、光伏、新能源、有機器件、納米顆粒、催化劑、金屬材料、聚合物、陶瓷等固體材料及器件領(lǐng)域。

用于全固態(tài)電池、半導體、光伏、催化劑等領(lǐng)域的先進(jìn)功能材料都是復雜的多組分材料,其研發(fā)依賴(lài)于化學(xué)結構到性能的不斷優(yōu)化。ULVAC-PHI,Inc.提供的全新表面分析儀器“PHI GENESIS" 全自動(dòng)多功能掃描聚焦X射線(xiàn)光電子能譜儀,具有*性能、高自動(dòng)化和靈活的擴展能力,可以滿(mǎn)足客戶(hù)的所有分析需求。


PHI GENESIS 多功能 分析平臺在各種研究領(lǐng)域的應用

電池        AES/Transfer Vessel

“LiPON/LiCoO 2 橫截面的 pA-AES Li 化學(xué)成像"

Li 基材料例如 LiPON,對電子束輻照敏感。 

PHI GENESIS 提供的高靈敏度能量分析器可以在低束流(300pA)下快速獲取 AES 化學(xué)成像。

PHI 硬X射線(xiàn)光電子能譜儀

有機器件     UPS/LEIPS/GCIB

使用 UPS/LEIPS 和 Ar-GCIB 測量能帶結構

(1)C60薄膜表面

(2)C60薄膜表面清潔后

(3)C60薄膜 /Au 界面

(4)Au 表面

通過(guò) UPS/LEIPS 分析和 Ar-GCIB 深度剖析可以確定有機層的能級結構。

PHI 硬X射線(xiàn)光電子能譜儀

半導體    XPS/HAXPES

半導體器件通常由包含許多元素的復雜薄膜組成,它們的研發(fā)通常需要對界面處的化學(xué)態(tài)進(jìn)行無(wú)損分析。為了從深層界面獲取信息,例如柵極氧化膜下的 GaN,使用 HAXPES 是非常有必要的。

PHI 硬X射線(xiàn)光電子能譜儀

微電子     HAXPES 

微小焊錫點(diǎn)分析HAXPES 分析數據顯示金屬態(tài)Sn 的含量高于 XPS 分析數據,這是由于Sn 球表面被氧化,隨著(zhù)深度的加深,金屬態(tài)Sn的含量越高,正好符合HAXPES 分析深度比 XPS 深的特點(diǎn)。

PHI 硬X射線(xiàn)光電子能譜儀



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